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650V 25A Field Stop Trench IGBT - RGT50NS65D(TO-262) (新製品)

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RGT50NS65DGC9 供給中 TO-262 1000 1000 チューブ Yes
 
特性:
VCES [V] 650
IC(100°C) [A] 25
VCE(sat)(Typ.) [V] 1.65
tsc(Min.) [us] 5
ダイオード 内蔵 FRD
Pd [W] 194
VGE(th)(Min.) [V] 5.0
BVCES(Min.) [V] 650
保存温度範囲 (Min.)[°C] -55
保存温度範囲 (Max.)[°C] 175
特長:
    • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
    • Low Switching Loss
    • Short Circuit Withstand Time 5µs
    • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
    • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
 
ロームはいかなる時も仕様を変更する権利を有します。
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

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