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650V 15A Field Stop Trench IGBT - RGT30NS65D

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RGT30NS65DGTL 供給中 LPDS 1000 1000 テーピング Yes
 
特性:
VCES [V] 650
IC(100°C) [A] 15
VCE(sat)(Typ.) [V] 1.65
tsc(Min.) [us] 5
ダイオード 内蔵 FRD
Pd [W] 133
VGE(th)(Min.) [V] 5.0
BVCES(Min.) [V] 650
保存温度範囲 (Min.)[°C] -55
保存温度範囲 (Max.)[°C] 175
特長:
  • 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
    2) Low Switching Loss
    3) Short Circuit Withstand Time 5us
    4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
    5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
 
 
技術資料
SPICE Simulation Evaluation Circuit

SPICEモデルを使用した素子評価用の回路データ

SPICEモデル

RGT30NS65DのSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

RGT30NS65Dの熱計算モデルをダウンロード

使用上の注意

面実装タイプ

使用上の注意

端子挿入タイプ

半田付け条件

面実装タイプ