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650V 50A Field Stop Trench IGBT - RGS00TS65D (新製品)

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

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形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RGS00TS65DC11 供給中 TO-247N 450 30 チューブ Yes
 
特性:
VCES [V] 650
IC(100°C) [A] 50
VCE(sat)(Typ.) [V] 1.65
ダイオード 内蔵 FRD
Pd [W] 326
VGE(th)(Min.) [V] 5.0
BVCES(Min.) [V] 650
保存温度範囲 (Min.)[°C] -55
保存温度範囲 (Max.)[°C] 175
特長:
    • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
    • Short Circuit Withstand Time 8μs
    • Qualified to AEC-Q101
    • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
    • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
 
ロームはいかなる時も仕様を変更する権利を有します。
 
技術資料
SPICE Simulation Evaluation Circuit

SPICEモデルを使用した素子評価用の回路データ

SPICEモデル

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熱計算モデル

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