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4.5V駆動タイプ Nch MOSFET - RF4E110BN

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RF4E110BNTR 供給中 HUML2020L8(Single) 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード DFN2020-8S
パッケージサイズ[mm] 2.0x2.0(t=0.6)
端子数 8
極性 Nch
VDSS[V] 30
ID[A] 11.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.0118
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.0085
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0118
Qg[nC] 12.0
損失[W] 2.0
駆動電圧 [V] 4.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
    • 低オン抵抗
    • 小型ハイパワーパッケージ(HUML2020L8)
    • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
    • ハロゲンフリー
 
 
アプリケーション:
端子配置図:
Pin Configration
 
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

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包装仕様

For Transistors

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

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形名の構成

For Transistors