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1.2V駆動タイプ Nch MOSFET - RE1C002UN

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RE1C002UNTCL 供給中 EMT3F 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード SOT-416FL
JEITAパッケージ SC-89
パッケージサイズ[mm] 1.6x1.6(t=0.7)
端子数 3
極性 Nch
VDSS[V] 20
ID[A] 0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.) 1.6
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.) 1.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 1.6
損失[W] 0.15
駆動電圧 [V] 1.2
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・低電圧1.2V駆動タイプ
    ・Nチャンネル 小信号MOSFET
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
 
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

RE1C002UNの熱計算モデルをダウンロード

包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors