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10V駆動タイプ Nch MOSFET - RDD023N50

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
RDD023N50TL 供給中 CPT3 2500 2500 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TO-252(DPAK)
JEITAパッケージ SC-63
パッケージサイズ[mm] 6.5x9.5(t=2.3)
端子数 3
極性 Nch
VDSS[V] 500
ID[A] 2.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 4.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 4.0
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 4.1
Qg[nC] 11.0
損失[W] 20.0
駆動電圧 [V] 4.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・10V駆動タイプ
    ・Nチャンネル パワーMOSFET
    ・高速スイッチング
    ・駆動回路が簡単
    ・並列使用が容易
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
技術資料
SPICEモデル

RDD023N50のSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

RDD023N50の熱計算モデルをダウンロード

包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors