Downloading...

10V駆動タイプ Nch MOSFET - R8008ANX

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
R8008ANX 供給中 TO-220FM 500 500 バルク Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TO-220FM
パッケージサイズ[mm] 15.1x10.1 (t=4.6)
端子数 3
極性 Nch
VDSS[V] 800
ID[A] 8.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.79
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.79
Qg[nC] 39.0
損失[W] 50.0
駆動電圧 [V] 10.0
実装方式 Leaded type
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・10V駆動タイプ
    ・Nチャンネル パワーMOSFET
    ・高速スイッチング
    ・駆動回路が簡単
    ・並列使用が容易
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
技術資料
Reference Circuit

DC-DC Quasi-Resonant Converter Vo=12V Io=10A

SPICE評価用回路データ

DC-DC Quasi-Resonant Converter Vo=12V Io=10A

SPICEモデル

R8008ANXのSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

R8008ANXの熱計算モデルをダウンロード

包装仕様

For Transistors

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors