R8008ANJ
Nch 800V 8A パワーMOSFET

R8005ANJは低オン抵抗かつ高速スイッチングが特徴のパワーMOSFETです。スイッチング用途に最適です。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | R8008ANJGTL
供給状況 | 購入可能
パッケージ | LPTS (D2PAK)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

TO-263 (D2PAK)

JEITAパッケージ

SC-83

推奨セット

Power Supply

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

800

ドレイン電流 (直流) ID [A]

8

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.79

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.79

ゲート総電荷量 Qg [nC]

38

許容損失 PD [W]

195

駆動電圧 [V]

10

Trr (Typ.)[ns]

625

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

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特長:

1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
6) Pb-free lead plating; RoHS compliant.

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