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10V駆動タイプ Nch MOSFET - R6076ENZ1

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
R6076ENZ1C9 供給中 TO-247 450 450 バルク Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TO-247
パッケージサイズ[mm] 21.1x15.9(t5.0)
推奨セット Power Supply
端子数 3
極性 Nch
ドレインソース間電流 VDSS [V] 600
ドレイン電流 (直流) ID [A] 76.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.038
ゲート総電荷量 Qg [nC] 260.0
許容損失 PD [W] 120.0
駆動電圧 [V] 10.0
実装方式 Leaded type
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
 
 
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形名 製品名 パッケージ データシート ネット商社在庫
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新商品情報
 
 
技術資料
Reference Circuit

PFC Bridge-Less1 Pin=10kW

Reference Circuit

PFC Bridge-Less1 Pin=15kW

SPICE評価用回路データ

PFC Bridge-Less1 Pin=10kW

SPICE評価用回路データ

PFC Bridge-Less1 Pin=15kW

SPICEモデル

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熱計算モデル

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使用上の注意

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包装仕様

For Transistors

保管条件

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形名の構成

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