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10V駆動タイプ Nch MOSFET - R6009ENX

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
R6009ENX 供給中 TO-220FM 500 500 バルク Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TO-220FM
パッケージサイズ[mm] 15.1x10.1 (t=4.6)
端子数 3
極性 Nch
VDSS[V] 600
ID[A] 9.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.5
Qg[nC] 23.0
損失[W] 40.0
駆動電圧 [V] 10.0
実装方式 Leaded type
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・ Low on-resistance.
    ・ Fast switching speed.
    ・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
    ・ Drive circuits can be simple.
    ・ Parallel use is easy.
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
 
 
技術資料
Reference Circuit

PFC Critical Current Mode 1P Pin=200W

Reference Circuit

PFC Critical Current Mode 2P-Interleave Pin=400W

Reference Circuit

PFC Critical Current Mode 3P-Interleave Pin=600W

SPICE評価用回路データ

PFC Critical Current Mode 1P Pin=200W

SPICE評価用回路データ

PFC Critical Current Mode 2P-Interleave Pin=400W

SPICE評価用回路データ

PFC Critical Current Mode 3P-Interleave Pin=600W

SPICEモデル

R6009ENXのSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

R6009ENXの熱計算モデルをダウンロード

包装仕様

For Transistors

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors