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10V駆動タイプ Nch MOSFET - R6008FNX

電界効果トランジスタのMOSFET。新プロセスを採用した「スイッチング電源向け高効率高耐圧デバイス」により低消費電力を実現するパワーMOSFETを提供し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
R6008FNX 供給中 TO-220FM 500 500 バルク Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TO-220FM
パッケージサイズ[mm] 15.1x10.1 (t=4.6)
端子数 3
極性 Nch
VDSS[V] 600
ID[A] 8.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.73
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.73
Qg[nC] 20.0
損失[W] 50.0
駆動電圧 [V] 10.0
Trr (Typ.)[ns] 67
実装方式 Leaded type
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・4V駆動タイプ
    ・Nチャンネル 小信号MOSFET
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
 
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

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包装仕様

For Transistors

保管条件

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使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

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