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新規設計に非推奨

Nch 600V 4A パワーMOSFET - R6004KND

 
推奨製品
形名 データシート パッケージ ピンコンパチ
R6006KND3 TO-252
サポートリンク:
 
 
特性:
形名 R6004KNDTL
供給状況 新規設計に非推奨
パッケージ CPT3
包装数量 2500
最小個装数量 2500
包装形態 テーピング
構成物質一覧 お問合わせください
RoHS Yes
グレード Standard
パッケージコード TO-252(DPAK)
JEITAパッケージ SC-63
パッケージサイズ[mm] 6.5x9.5(t=2.3)
推奨セット Power Supply
端子数 3
極性 Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V] 600
ドレイン電流 (直流) ID [A] 4.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.9
ゲート総電荷量 Qg [nC] 10.2
許容損失 PD [W] 58.0
駆動電圧 [V] 10.0
Trr (Typ.)[ns] 230
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
端子配置図:
  • N/A
 
 
技術資料
保管条件

For Transistors

包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors