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30V Nch+Nch 小信号MOSFET - QS8K13

電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
QS8K13TCR 供給中 TSMT8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TSMT8
パッケージサイズ[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
端子数 8
極性 Nch+Nch
VDSS[V] 30
ID[A] 6.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.028
Qg[nC] 5.5
損失[W] 1.5
駆動電圧 [V] 4.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・4V駆動タイプ
    ・Nch+Nch ミドルパワーMOSFET
    ・高速スイッチング
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

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包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors