QS8K11
4Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | QS8K11TCR
供給状況 | 購入可能
パッケージ | TSMT8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

TSMT8

推奨セット

Switching

端子数

8

極性

Nch+Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

3.5

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.05

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.045

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.035

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.05

ゲート総電荷量 Qg [nC]

3.3

許容損失 PD [W]

1.5

駆動電圧 [V]

4

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

3x2.8 (t=0.85)

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特長:

・4V駆動タイプ
・Nch+Nch ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
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