QS8J13
-12V Pch+Pch Middle Power MOSFET

QS8J13は低オン抵抗のミドルパワーMOSFETです。小型表面実装パッケージで省スペース化に貢献します。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | QS8J13TR
供給状況 | 購入可能
パッケージ | TSMT8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

TSMT8

推奨セット

Switching

端子数

8

極性

Pch+Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-12

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-5.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

0.029

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.015

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.029

ゲート総電荷量 Qg [nC]

60

許容損失 PD [W]

1.5

駆動電圧 [V]

-1.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

3x2.8 (t=0.85)

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特長:

· 低オン抵抗
· 小型面実装パッケージで省スペース
· 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
· ハロゲンフリー
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