Downloading...
 
product-image
 

1.8V駆動タイプ Nch+SBD MOSFET - QS5U34

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード(SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
QS5U34TR 供給中 TSMT5 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード SOT-25T
パッケージサイズ[mm] 2.9x2.8(t=1.0Max.)
端子数 5
極性 Nch+Schottky
VDSS[V] 20
ID[A] 1.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.) 0.22
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 0.17
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.13
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.22
Qg[nC] 1.8
損失[W] 0.9
駆動電圧 [V] 1.8
逆方向電圧 (Diode)[V] 20.0
順方向電流 (Diode)[A] 0.5
サージ順方向電流 (Diode)[A] 2.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・ショットキーダイオード内蔵ミドルパワーMOSFET
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
技術資料
SPICEモデル

QS5U34のSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

QS5U34の熱計算モデルをダウンロード

包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors