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2.5V駆動タイプ Pch+SBD MOSFET - QS5U26

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード(SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
QS5U26TR 供給中 TSMT5 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード SOT-25T
パッケージサイズ[mm] 2.9x2.8(t=1.0Max.)
端子数 5
極性 Pch+Schottky
ドレインソース間電流 VDSS [V] -20
ドレイン電流 (直流) ID [A] -1.5
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 0.26
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.18
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.16
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.26
ゲート総電荷量 Qg [nC] 4.2
許容損失 PD [W] 0.9
駆動電圧 [V] -2.5
逆方向電圧 (Diode)[V] 20.0
順方向電流 (Diode)[A] 0.5
サージ順方向電流 (Diode)[A] 2.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・ショットキーダイオード内蔵ミドルパワーMOSFET
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
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