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30V Nch+Nch パワーMOSFET - QH8KA1

QH8KA1は低オン抵抗のパワーMOSFETです。小型表面実装パッケージで省スペース化に貢献します。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
QH8KA1TCR 供給中 TSMT8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TSMT8
パッケージサイズ[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
端子数 8
極性 Nch+Nch
VDSS[V] 30
ID[A] 4.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.086
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.056
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.086
Qg[nC] 1.5
損失[W] 2.4
駆動電圧 [V] 4.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • · 低オン抵抗
    · 小型面実装パッケージで省スペース
    · 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
    · ハロゲンフリー
 
 
端子配置図:
Pin Configration
 
 
技術資料
SPICEモデル

QH8KA1のSPICEモデルをダウンロード

包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors