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-20V Pch+Pch Middle Power MOSFET - QH8JA1 (新製品)

QH8JA1は低オン抵抗のミドルパワーMOSFETを2素子複合した、小型表面実装パッケージのMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
QH8JA1TCR 供給中 TSMT8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード TSMT8
パッケージサイズ[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
端子数 8
極性 Pch+Pch
VDSS[V] -20
ID[A] -5.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.) 0.049
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 0.035
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.049
Qg[nC] 10.2
損失[W] 1.5
駆動電圧 [V] -1.8
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
    • 低オン抵抗
    • 小型High Powerパッケージ(TSMT8)
    • 低電圧駆動(1.8V駆動)
    • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
 
 
端子配置図:
Pin Configration
 
ロームはいかなる時も仕様を変更する権利を有します。
 
技術資料
包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors