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30V Nch+Nch パワーMOSFET - HS8K11

HS8K11はスイッチング用途に適したパワーMOSFETです。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
HS8K11TB 供給中 HSML3030L10 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード HSML3030L10
パッケージサイズ[mm] 3.0x3.0(t=0.6)
端子数 10
極性 Nch+Nch
VDSS[V] 30
ID[A] 7.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.0208
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.0128
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0208
Qg[nC] 5.7
損失[W] 2.0
駆動電圧 [V] 4.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • · 低オン抵抗
    · 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
    · ハロゲンフリー
 
 
端子配置図:
Pin Configration
 
 
技術資料
Reference Circuit

DC-DC Step-Down Converter 1P Vo=5V Io=5A

Reference Circuit

DC-DC Step-Down Converter 2P-Interleave Vo=5V Io=10A

Reference Circuit

DC-DC Step-Down Converter 3P-Interleave Vo=5V Io=15A

SPICE評価用回路データ

DC-DC Step-Down Converter 1P Vo=5V Io=5A

SPICE評価用回路データ

DC-DC Step-Down Converter 2P-Interleave Vo=5V Io=10A

SPICE評価用回路データ

DC-DC Step-Down Converter 3P-Interleave Vo=5V Io=15A

SPICEモデル

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包装仕様

For Transistors

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors