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新規設計に非推奨

4V駆動タイプ Nch+SBD MOSFET - ES6U3

 
推奨製品
N/A
サポートリンク:
 
 
特性:
形名 ES6U3T2CR
供給状況 新規設計に非推奨
パッケージ WEMT6
包装数量 8000
最小個装数量 8000
包装形態 テーピング
構成物質一覧 お問合わせください
RoHS Yes
グレード Standard
パッケージコード SOT-563T
JEITAパッケージ SC-120
パッケージサイズ[mm] 1.6x1.6(t=0.6)
端子数 6
極性 Nch+Schottky
ドレインソース間電圧 VDSS [V] 30
ドレイン電流 (直流) ID [A] 1.4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.25
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.27
ゲート総電荷量 Qg [nC] 1.4
許容損失 PD [W] 0.7
駆動電圧 [V] 4.0
逆方向電圧 (Diode)[V] 20.0
順方向電流 (Diode)[A] 0.5
サージ順方向電流 (Diode)[A] 2.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
端子配置図:
Pin Configration
 
 
技術資料
SPICEモデル

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熱計算モデル

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使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors