Downloading...
 
product-image
 

1.5V駆動タイプ Pch+SBD MOSFET - ES6U1

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード(SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
ES6U1T2R 供給中 WEMT6 8000 8000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード SOT-563T
JEITAパッケージ SC-120
パッケージサイズ[mm] 1.6x1.6(t=0.6)
端子数 6
極性 Pch+Schottky
VDSS[V] -12
ID[A] -1.3
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.) 0.53
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 0.28
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.19
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.53
Qg[nC] 2.4
損失[W] 0.7
駆動電圧 [V] -1.5
逆方向電圧 (Diode)[V] 20.0
順方向電流 (Diode)[A] 0.5
サージ順方向電流 (Diode)[A] 2.0
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
  • ・ショットキーダイオード内蔵ミドルパワーMOSFET
    ・小型面実装パッケージで省スペース
    ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
 
 
技術資料
SPICEモデル

ES6U1のSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

ES6U1の熱計算モデルをダウンロード

包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors