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-500mA/-50V デジタルトランジスタ (抵抗内蔵トランジスタ) - DTB113EC (新製品)

DTB113ECは抵抗器内蔵型のトランジスタです。バイアス用の抵抗は薄膜抵抗により構成し完全にアイソレーションしているため、入力を正にバイアスできます。また、寄生効果がほとんど生じないという利点があります。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
DTB113ECT116 供給中 SOT-23 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
パッケージコード SOT-23
パッケージサイズ[mm] 2.9x2.4(t=0.95)
端子数 3
極性 PNP
入力抵抗1[kΩ] 1.0
ベース抵抗1[kΩ] 1.0
コレクタ電圧1[V] -50.0
コレクタ電流(連続的)1[A] -0.5
損失[W] 0.2
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C] -55
保存温度範囲(Max.)[°C] 150
特長:
    • PNP epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
    • 1)バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。(等価回路図参照)
    • 2)バイアス用の抵抗は、薄膜抵抗により構成し、完全にアイソレーションしているため、入力を正にバイアスできる。また、寄生効果がほとんど生じないという利点がある。
    • 3)ON-OFF条件の設定だけで動作するため、機器の設計が容易に行える。
 
 
端子配置図:
Pin Configration
 
ロームはいかなる時も仕様を変更する権利を有します。
 
技術資料
包装仕様

For Transistors

半田付け条件

面実装タイプ

保管条件

For Transistors

使用上の注意

素子温度について

使用上の注意

安心してお使いいただくために

形名の構成

For Transistors