主な仕様
特性:
パッケージコード
SOT-23
端子数
3
極性
PNP
電源電圧 VCC [V]
-50
コレクタ電流 Io(Ic) [A]
-0.1
入力抵抗 R1 [kΩ]
100
ベース抵抗 R2 [kΩ]
100
許容損失 PD [W]
0.2
実装方式
Surface mount
直流電流増幅率 GI
82 or more
出力電流 IO [A]
-0.02
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
2.9x2.4 (t=1.2)
特長:
- PNP epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
- 内蔵抵抗:R1= R2= 100kΩ。
- バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。(内部回路図参照)
- バイアス用の抵抗は完全に分離した薄膜抵抗によって構成しているため、正負の電圧を入力できる。また寄生効果がほとんど生じない利点がある。
- 入力電圧の設定でオン／オフ制御ができるため、回路の設計が容易に行える。
