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高速 グランドセンス オペアンプ - BU7465HFV

グランドセンス低電圧動作CMOSオペアンプは、位相補償容量内蔵型出力フルスイングのオペアンプ1回路/2回路/4回路を1チップに集積したモノリシックICです。低電圧動作が可能で、消費電流が少なく、入力バイアス電流が非常に小さいことが特長です。入力はグランドセンス、出力はフルスイング可能となっています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
BU7465HFV-TR 供給中 HVSOF5 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
Power supply(Min.)[V](+5V=5, +/-5V=10) 1.7
Power supply(Max.)[V](+5V=5, +/-5V=10) 5.5
チャンネル数 1
回路電流(Typ.)[mA] 0.12
入力オフセット電圧(Max.)[mV] 6.0
入力バイアス電流(Typ.)[nA] 0.0010
スルーレート(Typ.)[V/µS] 1.0
入力電圧範囲 [V] VSS to VDD-1.2
出力電圧範囲 [V] VSS+0.1 to VDD-0.1
大振幅電圧利得(Typ.)[dB] 100.0
出力電流(Typ.)[mA] 8.0
CMRR(Typ.)[dB] 60.0
PSRR(Typ.)[dB] 80.0
GBW(Typ.)[MHz] 1.2
動作温度範囲(Min.)[°C] -40
動作温度範囲(Max.)[°C] 85
特長:
  • ・低電圧動作可能
        +1.7[V] ~ +5.5[V](単電源)
    ・入力グランドセンス、出力フルスイング動作可能
    ・位相補償容量内蔵
    ・動作温度範囲が広い
        -40[℃] ~ +85[℃]
    ・直流電圧利得が大きい
    ・低入力バイアス電流 1[pA](Typ.)
    ・静電気保護回路内蔵
        人体モデル(HBM)±4000[V](Typ.)
 
 
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技術資料
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アプリケーションノート

パッケージの熱抵抗、熱特性パラメータについて

パッケージの熱抵抗と熱特性パラメータの定義及びその活用方法

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