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低消費 入出力フルスイング オペアンプ - BU7275SHFV

フルスイング低電圧動作CMOSオペアンプは、位相補償容量内蔵型フルスイングのオペアンプ1回路/2回路/4回路を1チップに集積したモノリシックICです。低電圧動作が可能で、消費電流が少なく、入力バイアス電流が非常に小さいことが特長です。入力、出力ともにフルスイング動作が可能です。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
構成物質一覧
RoHS
BU7275SHFV-TR 供給中 HVSOF5 3000 3000 テーピング お問合わせください Yes
 
特性:
グレード Standard
Power supply(Min.)[V](+5V=5, +/-5V=10) 1.8
Power supply(Max.)[V](+5V=5, +/-5V=10) 5.5
チャンネル数 1
回路電流(Typ.)[mA] 0.04
入力オフセット電圧(Max.)[mV] 6.0
入力バイアス電流(Typ.)[nA] 0.0010
スルーレート(Typ.)[V/µS] 0.3
入力電圧範囲 [V] VSS to VDD
出力電圧範囲 [V] VSS+0.1 to VDD-0.1
大振幅電圧利得(Typ.)[dB] 95.0
出力電流(Typ.)[mA] 8.0
CMRR(Typ.)[dB] 60.0
PSRR(Typ.)[dB] 80.0
GBW(Typ.)[MHz] 0.6
動作温度範囲(Min.)[°C] -40
動作温度範囲(Max.)[°C] 105
特長:
  • ・低電圧動作可能 +1.8[V] ~ +5.5[V](単電源)
    ・入力フルスイング、出力フルスイング動作可能
    ・位相補償容量内蔵
    ・動作温度範囲が広い
        -40[℃] ~ +105[℃]
    ・直流電圧利得が大きい
    ・消費電流が少ない
    ・低入力バイアス電流 1[pA](Typ.)
    ・静電気保護回路内蔵
        人体モデル(HBM)±4000[V](Typ.)
 
 
技術資料
オペアンプ応用回路例

アプリケーションノート

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形名の構成

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