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SiC パワーモジュール - BSM300D12P2E001

BSM300D12P2E001はローム製SiC-DMOSFETとSiC-SBDで構成された、2in1のSiCパワーモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
BSM300D12P2E001 供給中 E 4 4 トレイ Yes
 
特性:
VDS [V] 1200
ID [A] 300.0
PD [W] 1875
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲(Min.)[°C] -40
保存温度範囲(Max.)[°C] 125
内部回路 Half bridge
特長:
    • 低サージ・低損失
    • 高速スイッチング
    • 特性の温度依存性が低い
 
 
 
 
技術資料
SPICE評価用回路データ

DC-DC Half-Bridge CCCV Charger Po=50kW

SPICE評価用回路データ

DC-DC Half-Bridge CCCV Charger Po=50kW (for Thermal evaluation)

SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

SPICEモデル

BSM300D12P2E001のSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

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SiC パワーデバイス・モジュール

アプリケーションノート