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SiC パワーモジュール - BSM180D12P2C101

ローム製SiC-DMOSFETを用いたハーフブリッジ構成のSiC MOSFETモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
BSM180D12P2C101 供給中 C 12 12 トレイ Yes
 
特性:
VDS [V] 1200
ID [A] 180.0
PD [W] 1130
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 150
保存温度範囲(Min.)[°C] -40
保存温度範囲(Max.)[°C] 125
内部回路 Half bridge
特長:
  • ・還流ダイオードを省いたSiC MOSFETモジュール
    ・高速スイッチング・低スイッチングロス
    ・高速リカバリ・高信頼性 寄生ダイオード
 
 
端子配置図:
Pin Configration
 
 
 
 
技術資料
SPICE評価用回路データ

DC-AC Half-Bridge Ih Inverter Po=20kW

SPICE Simulation Evaluation Circuit

SPICEモデルを使用した素子評価用の回路データ

SPICEモデル

BSM180D12P2C101のSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

BSM180D12P2C101の熱計算モデルをダウンロード

SiC パワーデバイス・モジュール

アプリケーションノート