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SiC パワーモジュール - BSM120D12P2C005

ローム製SiCデバイスを用いたハーフブリッジ構成のフルSiCパワーモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
BSM120D12P2C005 供給中 C 12 12 トレイ Yes
 
特性:
VDS [V] 1200
ID [A] 120.0
PD [W] 780
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 150
保存温度範囲(Min.)[°C] -40
保存温度範囲(Max.)[°C] 125
内部回路 Half bridge
特長:
  • ・SiC MOSFETとSiC SBDによるフルSiCモジュール
    ・高速スイッチング・低スイッチングロス
 
 
端子配置図:
Pin Configration
 
 
 
 
技術資料
SPICE評価用回路データ

DC-AC Full-Bridge PS Inverter Po=15kW

SPICE Simulation Evaluation Circuit

SPICEモデルを使用した素子評価用の回路データ

Spice Model (lib)

BSM120D12P2C005
SPICEモデルをダウンロード

Thermal Model (lib)

BSM120D12P2C005
熱計算モデルをダウンロード

SiC パワーデバイス・モジュール

アプリケーションノート