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SiC パワーモジュール - BSM080D12P2C008 (新製品)

ローム製SiC-DMOSとSiCショットキーバリアダイオードを用いたハーフブリッジ構成のSiCモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
BSM080D12P2C008 供給中 C 12 12 トレイ Yes
 
特性:
VDS [V] 1200
ID [A] 80.0
PD [W] 600
ジャンクション温度 (Max.)[°C] 175
保存温度範囲(Min.)[°C] -40
保存温度範囲(Max.)[°C] 125
内部回路 Half bridge
特長:
    • 低サージ・低損失
    • 高速スイッチング
    • 特性の温度依存性が低い
 
 
 
ロームはいかなる時も仕様を変更する権利を有します。
 
技術資料
SPICE評価用回路データ

Half-Bridge PS Inverter Po=10kW

SPICE評価用回路データ

Half-Bridge PS Inverter Po=10kW (for Thermal evaluation)

SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

SPICEモデル

BSM080D12P2C008のSPICEモデルをダウンロード

熱計算モデル

BSM080D12P2C008の熱計算モデルをダウンロード

SiC パワーデバイス・モジュール

アプリケーションノート