SRAM＜デバイス原理＞

メモリセル構成

• 6トランジスタセルで構成
• 4トランジスタセル（高抵抗負荷型セル）で構成

データの書き込み方

＜"1" の場合＞

1. ワード線電位を high
2. Bit線の電位を与える（D=low, D=high） → フリップフロップの状態が決まる
3. ワード線電位を low

データの読み出し方

＜"1" の場合＞

1. ワード線電位を off
2. Bit線をプリチャージ（D, Dに同じ電位)
3. ワード線電位を high
4. Bit線が low, high の状態になる
5. センスアンプで増幅する

フリップフロップ回路によって"1"、"0"を記憶します