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DDR-SDRAM向けターミネーション用リニア電源 - BD3539FVM

BD3539FVMは、JEDEC準拠のDDR1-SDRAM、DDR2-SDRAM、DDR3-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3V (DDR2, DDR3)もしくは5.0V (DDR1, DDR2, DDR3) が必要です。JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン(VDDQ)と独立したフィードバックピン(VTTS)を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。また、DDR-SDRAM、メモリコントローラ用の基準電源出力ピン(VREF)を持っています。ENピン=Lの場合、VTT出力は、Hi-Zとなっていますが、VREF出力は維持されており、DDR-SDRAMのSelf Refreshステートに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
BD3539FVM-TR 供給中 MSOP8 3000 3000 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
ch 1
Vin(Min.)[V] 2.7
Vin(Max.)[V] 5.5
Vout (Typ)[V] 0.75 to 1.25
Iout(Max.)[A] 1.0
Thermal Shut-down Yes
Under Voltage Lock Out Yes
Soft Start Yes
動作温度範囲(Min.)[°C] -30
動作温度範囲(Max.)[°C] 100
特長:
  • · ターミネーション用プシュプル電源内蔵(VTT)
    · 基準電圧回路内蔵(VREF)
    · イネイブル機能内蔵
    · 低入力誤動作防止回路内蔵(UVLO)
    · 過熱保護回路内蔵(TSD)
    · Dual Channel 対応(DDR1, DDR2, DDR3)
    · 出力コンデンサにセラミックコンデンサ使用可能
 
 
技術資料
リニアレギュレータの基礎

アプリケーションノート

リニアレギュレータのスペック

アプリケーションノート

リニアレギュレータの逆電圧保護

アプリケーションノート

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形名の構成

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