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DDR-SDRAM向けターミネーション用リニア電源 - BD35390FJ

BD35390FJは、JEDEC準拠のDDR1/2/3-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3Vもしくは5.0Vが必要です。JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン(VDDQ)と独立したフィードバックピン(VTTS)を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名
供給状況
パッケージ
包装数量
最小個装数量
包装形態
RoHS
BD35390FJ-E2 供給中 SOP-J8 2500 2500 テーピング Yes
 
特性:
グレード Standard
ch 1
Vin(Min.)[V] 2.7
Vin(Max.)[V] 5.5
Vout (Typ)[V] 0.75 to 1.25
Iout(Max.)[A] 1.0
Thermal Shut-down Yes
Under Voltage Lock Out Yes
Soft Start Yes
動作温度範囲(Min.)[°C] -30
動作温度範囲(Max.)[°C] 100
特長:
  • · ターミネーション用プシュプル電源内蔵(VTT)
    · イネイブル機能内蔵
    · 低入力誤動作防止回路内蔵(UVLO)
    · 過熱保護回路内蔵(TSD)
    · Dual Channel 対応(DDR1, DDR2, DDR3)
    · PGOOD機能内蔵
 
 
技術資料
リニアレギュレータの基礎

アプリケーションノート

リニアレギュレータのスペック

アプリケーションノート

リニアレギュレータの逆電圧保護

アプリケーションノート

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形名の構成

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