ロームSiC製品の評価ボードを各種取り揃えております。

SiC MOSFET/IGBTディスクリート評価ボード

ローム製SiC-MOSFET、及びIGBTなどのディスクリート製品(TO-247パッケージ)の評価ボード。ローム製電源内蔵ゲートドライバICを搭載、ロームのパワーデバイスを容易に評価することが可能です。

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P01SCT2080KE-EVK-001

  • ローム製 SCT2080KE(1200V 80mΩ)評価用
    回路設定の変更により、他ロームSiC MOSFET製品の評価可能
  • 1200V、5A、100kHzにてMOSFET、IGBTを評価可能
  • 1系統のDC12Vから上下各アームの正・負バイアス電圧を生成
  • ダブルパルス試験用ゲート信号を内部生成
  • 外部供給信号によりDCDCコンバータ評価可能
  • フライホイールはMOSボディダイオード、外付けダイオード、逆導通を選択可能
  • ※内蔵インダクタの場合
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1700V SiC MOSFET搭載AC/DCコンバータ制御IC評価ボード

大電力を扱う産業機器の補機電源向けに最適な1700V高耐圧 SiC-MOSFETとSiC駆動用AC/DCコンバータ制御ICを搭載しています。

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BD7682FJ-LB-EVK-402

  • SiC-MOSFET駆動、ACDC評価ボード(フライバックコンバータ)
  • 1700V SiC-MOSFET SCT2H12NZ 搭載
  • AC/DCコンバータ制御IC BD7682FJ-LB 搭載
  • 三相AC400~690V入力 24V/1A出力
Application Note[PDF形式: 1.28MB] 製品紹介ページ

フルSiCモジュール評価用ゲートドライブボード

ローム製フルSiCモジュールの駆動評価用に最適化した評価ボードです。Cタイプ、並びにEタイプパッケージ製品それぞれに直接実装できる形状の評価用ゲートドライブボードです。

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BW9499H-EVK-xxx(xxxは、SiCモジュール駆動条件により異なります。)

  • ローム製Cタイプパッケージ製品用
  • ローム製絶縁素子内臓ゲートドライバ BM6101FV-C を採用
  • フルSiCモジュール製品に最適なゲートドライブ回路
  • アクティブミラークランプMOSFET搭載
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BP59A8H-EVK-xxx(xxxは、SiCモジュール駆動条件により異なります。)

  • ローム製Eタイプパッケージ製品用
  • ローム製絶縁素子内臓ゲートドライバ BM6101FV-C を採用
  • フルSiCモジュール製品に最適なゲートドライブ回路
  • アクティブミラークランプMOSFET搭載
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フライバック電源内蔵 2chゲートドライバ リファレンスボード

1200V/300AフルSiCパワーモジュールBSM300D12P2E001に直接実装できるローム製2chゲードドライバリファレンスボードです。ゲート電圧用絶縁型DC/DCコンバータを内蔵しています。

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BM60052FV-EVK-001

  • 300A/1200V SiCパワーモジュール BSM300D12P2E001 の直接駆動が可能
  • ローム製絶縁素子内蔵ゲートドライバ BM60052FV-C を採用

  • 保護機能搭載(短絡検出、ソフトターンオフ、FLT出力、UVLO、ゲート監視出力、ミラークランプ)
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SiCモジュール評価用スナバモジュール

スイッチングオフ時のサージ電圧抑制に有効な評価用スナバモジュールです。ローム製SiCモジュールに直接取り付け可能。

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EVSM1D72J2-145MH26

  • ローム製Cタイプパッケージ製品用
  • 630VDC、270nFセラミックキャパシタを2直列5並列
  • サージ電圧の抑制に効果を発揮
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EVSM1D72J2-145MH16

  • ローム製Eタイプパッケージ製品用
  • 630VDC、270nFセラミックキャパシタを2直列5並列
  • サージ電圧の抑制に効果を発揮
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