1200V/300AフルSiCパワーモジュール「BSM300D12P2E001」の製品情報を公開

より大電力アプリケーションへ 1200V/300AフルSiCパワーモジュール 追加ラインナップ BSM300D12P2E001

製品概要

BSM300D12P2E001

フルSiCパワーモジュール120A、180A品に加え、300Aタイプ「BSM300D12P2E001」を追加しました。
これにより、産業機器用の大容量電源などの大電力アプリケーションへの検討が可能になります。 また、一般的なSi-IGBTモジュールと比べて、スイッチング損失を大幅に低減し、高周波駆動が可能となるため、 周辺部品や冷却システムの小型化にも貢献します。

ラインナップ

フルSiCパワーモジュールに300Aタイプを追加!
品名 絶対最大定格(Ta=25°C) RDS
(ON)
(mΩ)
パッケージ サーミスタ 内部回路図
VDS
(V)
ID
(A)
(Tc=
60°C)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
(AC
1min.)
BSM080D12P2C008
(2G. DMOS)
1200 80 -40 to
+175
-40 to
+125
2500 34 C
type
- Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM120D12P2C005
(2G. DMOS)
120 -40 to
+150
20 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM180D12P3C007
(3G.UMOS -Trench Gate)
180 -40 to
+175
10 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM300D12P2E001
(2G. DMOS)
300 -40 to
+175
7.3 E
type
Internal Circuit Diagram(BSM300D12P2E001)
外形寸法図
C type E type
C type E type

■ 今後の展開

さらなる大電流・高耐圧化へ

高耐圧に対応するモジュールやトレンチ構造を採用したSiCデバイスを使い、さらなる大電流定格を実現した製品を開発し、ラインアップ強化を進めてまいります。

特長1:スイッチング損失の低減により高周波化を実現

同等電流定格のIGBTモジュールと比較してスイッチング損失を大幅に低減することができました。 IGBTモジュールからの置き換えにより大幅なスイッチング損失の低減が望め、冷却機構の小型化が可能になります。 また、より高周波スイッチング動作を行うことで、コイルやキャパシタといった周辺部品の小型化も実現できます。 SiCモジュールを使うことで、高効率化とともに、機器の小型化に貢献します。

特長2:大電流化に向けての安心設計

SiCモジュールでスイッチング損失低減!高周波化も可能
  • 独自のデザイン技術により、インダクタンスを約半減。
    これにより、300A定格の製品化を実現しました。
  • サーミスタ搭載で過昇温回避を行えます。