1700V高耐圧SiC-MOSFET
SCT2H12NZ

産業機器に搭載される補機電源に最適!

製品概要

TO-263AB,TO-220ACPパッケージイメージ

Siの限界を超えるデバイスとして注目のSiCデバイス。より高性能化のキー材料として大きく期待されています。
高電圧・大電力の産業機器アイテムに搭載される補機電源ユニットには、従来1000V耐圧をこえるようなSi-MOSFETが採用されており、高効率SiC-MOSFETへ置き換えることで、発熱低減によるヒートシンクなど部品削減が期待できます。
今回、新たに1700Vクラス製品をリリースし、SiC-MOSFETを容易に評価いただけるよう、評価用基板も準備しています。

評価基板

ロームは総合半導体メーカーとして、SiCデバイスと組み合わせて使用可能なICを各種ラインアップしています。 今回、本製品「SCT2H12NZ」とSiC-MOSFETの駆動に最適なAC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」、これらを実装した評価ボード「BD7682FJ-LB-EVK-402」のインターネット販売も開始しています。

サンプル、ボードを一個から購入可能
評価用電源基板(BD7682FJ-LB-EVK-402)
SiCサポートページSiC評価ボード情報他、製品利用に役立つ情報を掲載

特長1:産業機器の補機電源に最適

産業機器の補機電源に使用されていた1500V耐圧のSi-MOSFETと比較して、1700V耐圧と同時に8分の1となるオン抵抗1.15Ωを実現しています。
また、パッケージにはTO-3PFMを採用することで産業機器に要求される沿面距離(絶縁物の表面に沿って計測した距離)を確保しています。

オン抵抗比較 新商品のアプリケーションイメージ

特長2:専用ICと同時採用で劇的な高効率化を達成

AC/DCコンバータでのSi対SiC効率比較

SiC-MOSFETの実力を最大限引き出すことが可能なローム製SiC-MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」と組み合わせた場合、最大で6%の高効率化を実現可能です(ローム調べ)。
同時に発熱も低減できるため、放熱部品の小型化も可能です。

ラインナップ

品名 パッケージ 極性 VDSS ID PD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
NEW SCT2H12NZ TO-3PFM Nch 1700V 3.7A 35W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
NEW SCT2H12NY TO-268-2L 4A 44W
NEW SCT2750NY 5.9A 57W 0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

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