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SiCパワーデバイス

Si半導体よりも小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現できるSiC。スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されています。
SiC豆知識 SiC半導体デバイスの特徴を解説SiCパワーデバイスのアプリケーションノート ローム製SiCデバイス採用事例紹介パワーデバイス損失シミュレータビデオアーカイブ ロームの最新SiCデバイスのエンジニアプレゼン動画

  • SiC ショットキーバリアダイオード (51)

    SBDはスイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。高速スイッチング電源のPFC回路を中心に採用されています。

     
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  • SiC MOSFET (21)

    スイッチング動作時のテイル電流が原理的に無いため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能です。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できるため低容量・低ゲートチャージを実現しています。

     
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  • SiC パワーモジュール (7)

    SiCパワーモジュールは、IGBTモジュールに対して大幅に損失を低減することが可能です。スイッチング損失が少なく、高いスイッチング周波数下では特に有利になります。

     
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  • SiC ショットキーバリアダイオード Bare Die (10)

    SBDはスイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。高速スイッチング電源のPFC回路を中心に採用されています。
    Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

  • SiC MOSFET Bare Die (16)

    スイッチング動作時のテイル電流が原理的に無いため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能です。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できるため低容量・低ゲートチャージを実現しています。
    Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。