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SiCパワーデバイス

Si半導体よりも小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現できるSiC。スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されています。

xEVの進化に貢献するSiCパワーデバイス

SiCパワー半導体はSi半導体に比べ、オン抵抗の低減と高温動作が可能になり、小型化や省エネ化に貢献します。ロームでは車載グレードのSiC-SBDとSiC-MOSFETをラインアップしており、特にSiC-SBDは全世界でEV/HEVの車載充電器に採用されています。

SiC technology for Formula E

世界中のモータースポーツファンを魅了し続けるフォーミュラE。ロームはVenturiフォーミュラEチームのオフィシャル・テクノロジー・パートナーとして、SiCパワーデバイスを提供。SiCは電力システムの高効率化の鍵を握る最先端技術の結晶です。


SiC豆知識 SiC半導体デバイスの特徴を解説SiCパワーデバイスのアプリケーションノート ローム製SiCデバイス採用事例紹介パワーデバイス損失シミュレータ

  • SiC ショットキーバリアダイオード (68)

    SBDはスイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。高速スイッチング電源のPFC回路を中心に採用されています。

     
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  • SiC MOSFET (20)

    スイッチング動作時のテイル電流が原理的に無いため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能です。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できるため低容量・低ゲートチャージを実現しています。

     
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  • SiC パワーモジュール (11)

    SiCパワーモジュールは、IGBTモジュールに対して大幅に損失を低減することが可能です。スイッチング損失が少なく、高いスイッチング周波数下では特に有利になります。

     
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  • SiC ショットキーバリアダイオード Bare Die (10)

    SBDはスイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。高速スイッチング電源のPFC回路を中心に採用されています。
    Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

  • SiC MOSFET Bare Die (18)

    スイッチング動作時のテイル電流が原理的に無いため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能です。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できるため低容量・低ゲートチャージを実現しています。
    Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。