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SiC-MOSFETのデバイス構造について、プレーナー型とトレンチ型のメリット、デメリットは何ですか?
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SiC-MOSFETのデバイス構造について、プレーナー型とトレンチ型のメリット、デメリットは何ですか?
トレンチ型のメリットとしては、
①オン抵抗が小さい
②寄生容量が小さい
③スイッチング性能が良い
などが挙げられます。デメリットとしては、オン抵抗が小さいため短絡耐量が短いことです。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
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