Home | FAQ Search | SiC-MOSFETのボディダイオードの順方向降下電圧が高いのは何故ですか?
 
FAQ's
  • SiC-MOSFETのボディダイオードの順方向降下電圧が高いのは何故ですか?
    • SiCのバンドギャップがSiの約3倍であるため、pnダイオードの立ち上がり電圧は3V前後と大きく、順方向降下電圧が比較的高くなります。
      ただし、ブリッジ回路などでは転流中にゲートオン信号が入ることによって逆導通できますので実質的な定常損失はあまり問題となりません。