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SiC-MOSFETのボディダイオードのリカバリ電流がSi-MOSFETに比べかなり小さいのは何故ですか?
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SiC-MOSFETのボディダイオードのリカバリ電流がSi-MOSFETに比べかなり小さいのは何故ですか?
SiC-MOSFET特有の現象として、ボディダイオード通電によるオン抵抗変動がある事が一般的に知られています。信頼性試験条件をクリアするために仕様制限がかけられています。仕様を超えないような回路設計をお願いします。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
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