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SiC-MOSFET、SiCモジュール製品の駆動ゲート電圧は、マイナスバイアスは必要ですか?
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SiC-MOSFET、SiCモジュール製品の駆動ゲート電圧は、マイナスバイアスは必要ですか?
負バイアス駆動するのは、誤点弧防止の一つの手法です。誤点弧防止には、以下の対策が有効とされ、総合的な設計に依存しますので、必ずしも負バイアスが必要なものではありません。
・ゲート-ソース間に容量を挿入する
・アクティブミラークランプ機能
・Rgを大きくし、ドレイン電圧のdv/dtを小さくする
・基板パターン要因
参考:
SiCパワーデバイス・モジュールアプリケーションノート
第4世代SiC MOSFETディスクリートパッケージ諸特性と回路設計の注意点
アクティブミラークランプによる誤点弧対策
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
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