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FAQ's
  • SiC-MOSFET、SiCモジュール製品の駆動ゲート電圧は、マイナスバイアスは必要ですか?
    • FET OFF状態で、ドレイン電位が上昇する際、ゲート-ドレイン間容量のACカップリング現象により、ゲート電位が持ち上がる可能性があります。代表的なアプリケーションとしては、直列接続したブリッジ駆動です。
      誤オンによる短絡破壊を防ぐために、マイナスバイアスをお使いいただくことを推奨します。
      ゲート・ソース間に容量を追加いただくことでもゲート電位の持ち上がりを抑えることができます。
      また、ミラークランプMOSFETをゲート-ソース間に接続し、確実に短絡するすることで、ゲート電位の持ち上がりを防止できます。
      なお、ミラークランプMOSFETの駆動にはノイズによる誤動作にご注意ください。