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SiC-MOSFET、SiCモジュール製品の駆動ゲート電圧が、推奨値(オン時+22V~+18V、オフ時-3V~-6V)を逸脱するとどうなりますか。
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SiC-MOSFET、SiCモジュール製品の駆動ゲート電圧が、推奨値(オン時+22V~+18V、オフ時-3V~-6V)を逸脱するとどうなりますか。
ゲート駆動電圧を推奨通りに印加しない場合、以下の特性に注意する必要があります。
オン時のゲート電圧:推奨電圧を下回るとオン抵抗が大きくなり、「電流能力が取れない」「熱暴走のリスク」が発生します。
オフ時のゲート電圧:推奨電圧より低い電圧(負電圧)を印加した場合、SiC特有の事象である閾値変動が大きくなる可能性があります。
製品仕様書、アプリケーションノートを参照し、セットで問題ない設計をしてください。
参考:
SiCパワーデバイス・モジュールアプリケーションノート
第4世代SiC MOSFETディスクリートパッケージ諸特性と回路設計の注意点
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
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