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SiC製品駆動時にゲート信号にオーバーシュートやアンダーシュートがあるのは何故ですか?
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SiC製品駆動時にゲート信号にオーバーシュートやアンダーシュートがあるのは何故ですか?
基板の寄生容量や寄生インダクタンス等の影響で、LC共振が考えられます。以下の項目を確認してください。
①ゲートドライブ回路に付いている外付けゲート抵抗
②ゲートドライブ回路の出力容量
③ゲートドライブ回路の配線の寄生インダクタンス
④SiC-MOSFETのゲート容量
⑤SiC-MOSFETの内部ゲート抵抗
などいずれの抵抗も小さいとオーバシュート・アンダシュートのピーク値が大きく、かつリンギングの減衰に時間がかかります。
また、容量が大きいとピーク値は小さくなりますが、スイッチングスピードが遅くなります。
インダクタンスが大きいとピーク値が大きくなります。
ゲート駆動回路の基礎とデザインガイドライン
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
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