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SiC-MOSFET並列接続時の最適な外付けゲート抵抗値はいくらですか?
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SiC-MOSFET並列接続時の最適な外付けゲート抵抗値はいくらですか?
ゲート信号配線の寄生インダクタンスに依存します。基板設計と回路、ゲート抵抗値で総合的な設計が必要です。
参考:
MOSFET並列接続時の発振対策
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC MOSFET Bare Die
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