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SiCパワーデバイスの特徴を教えて下さい。
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SiCパワーデバイスの特徴を教えて下さい。
SiCはSiと比較して絶縁破壊電界強度が約10倍高い物性特性を持ちます。耐圧の高いデバイスを作りやすい他、ドリフト層を薄く出来るため単位面積あたりのオン抵抗(RonA)が小さく、導通損失を削減できます。また、スイッチングスピードも高速なため、スイッチング損失を削減できます。低損失(低発熱)、高速スイッチングによるトランスの小型化等、従来Siで達成できなかったエネルギー削減、CO2排出削減に貢献します。
参考:
エレクトロニクス豆知識
採用が進むロームのSiCパワーデバイスソリューション
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
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