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FAQ's
  • BD45xxx/BD46xxxシリーズのDatasheetにて、プルアップ抵抗値は50kΩ~1MΩの間を推奨すると記載がありますが、理由を教えて下さい。
    • NMOSオープンドレインBD45xxxシリーズにてプルアップ抵抗を使用する場合、NMOSの電流能力はVDD電圧とVDS電圧で変化しますが、動作保証範囲の全てでVout=0.5V以下のLOWレベル出力を保証するための条件として、プルアップ抵抗は50KΩ以上を推奨しています。 設計の都合上50KΩ以下となる場合は、Iout-VDSデータをご参照の上ご判断ください。 その際の電流のばらつきは倍半分とお考えください。 逆に抵抗値が大きい場合リーク電流によるHレベルの電圧低下が懸念されますが、リーク電流は最大1μAとお考えください。 また、実機上のノイズ対策としてCLを使用される場合は、波形のなまりに注意して容量を設定してください。