主な仕様
特性:
シリーズ
TH: High speed SW
VCES [V]
650
IC(100℃) [A]
30
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
47
ダイオード 内蔵
FRD
Pd [W]
194
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
15.94x20.95 (t=5.02)
特長:
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage2) High Speed Switching
3) Low Switching Loss & Soft Switching
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
