RF4E070GN
4.5V駆動タイプ Nch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RF4E070GNTR
供給状況 | 購入可能
パッケージ | HUML2020L8 (Single)
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

DFN2020-8S

推奨セット

Power Supply

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.023

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0164

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.023

ゲート総電荷量 Qg [nC]

2.2

許容損失 PD [W]

2

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

Bare Die/Wafer 品番

Available: K4515

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

2x2 (t=0.65)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型ハイパワーパッケージ(HUML2020L8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
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