主な仕様
特性:
パッケージコード
SOT-23
端子数
3
極性
PNP
電源電圧 VCC [V]
-50
コレクタ電流 Io(Ic) [A]
-0.5
入力抵抗 R1 [kΩ]
1
ベース抵抗 R2 [kΩ]
10
コレクタ電圧 VCEO[V]
-50
コレクタ電流 Io(Ic)［A］
-0.5
許容損失 PD [W]
0.2
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
2.9x2.4 (t=1.2)
特長:
- PNP epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
- 内蔵抵抗:R1= 1.0kΩ、 R2= 10kΩ。
- バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。(内部回路図参照)
- 入力電圧の設定でオン／オフ制御ができるため、回路の設計が容易に行える。
- コンプリメンタリ:DTD113ZC(NPNタイプ)
