CEATEC JAPAN 2014 特別セミナー

10/8(水) テーマ:SiCパワーデバイス

ますます実用化が進むSiCデバイス。SiC研究の第一人者である京都大学 木本先生にご登壇いただき、
世界における最新開発動向から、GaNデバイスの進展についても解説いただきます。

Guest Seminar
13:30~14:15

SiCパワーデバイスの開発動向

  • 1. SiCパワー半導体
  • 2. SiCダイオードの進展
  • 3. SiCスイッチングデバイスの進展
  • 4. SiC半導体の開発動向
  • 5. GaN系デバイスの開発動向
木本 恒暢
京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 教授 木本 恒暢
■略歴
京都大学 大学院 工学研究科 修了。1990年以降、一貫してSiC半導体の研究に取り組み、
多数の成果を発表するSiC研究の第一人者。SiCに関する国際学術論文400件以上、
国際会議発表400件以上(うち基調・招待講演100件以上)。電子情報通信学会業績賞、
市村学術賞、IEEE Electron Device Society, MSFK Award、大阪科学賞、
応用物理学会フェローなど受賞約20件。・内閣府・総合科学技術会議「世界のトップを
目指す30の最先端研究課題及びそれを実施する中心研究者」に選出(2009年)。